Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 18 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2627
- Producentens varenummer:
- IRFR5505TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 175,475
(ekskl. moms)
Kr. 219,35
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 7,019 | Kr. 175,48 |
| 125 - 225 | Kr. 6,666 | Kr. 166,65 |
| 250 - 600 | Kr. 6,388 | Kr. 159,70 |
| 625 - 1225 | Kr. 6,107 | Kr. 152,68 |
| 1250 + | Kr. 5,688 | Kr. 142,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2627
- Producentens varenummer:
- IRFR5505TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Lead-Free | |
| Bredde | 2.39 mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Lead-Free | ||
Bredde 2.39 mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-55V enkelt P-kanal HEXFET Power MOSFET i et D-Pak-hus.
I overensstemmelse med RoHS
Lav RDS(on)
Brancheførende kvalitet
Dynamisk dv/dt-normering
Hurtigt skift
Fuldt Avalanche-klassificeret
175 °C driftstemperatur
P-kanal MOSFET
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 20 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 61 A 55 V HEXFET
