Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 20 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4474
- Producentens varenummer:
- IRLR9343TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 132,32
(ekskl. moms)
Kr. 165,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.440 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 6,616 | Kr. 132,32 |
| 100 - 180 | Kr. 6,283 | Kr. 125,66 |
| 200 - 480 | Kr. 6,149 | Kr. 122,98 |
| 500 - 980 | Kr. 5,752 | Kr. 115,04 |
| 1000 + | Kr. 5,36 | Kr. 107,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4474
- Producentens varenummer:
- IRLR9343TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon Digital Audio HEXFET er specielt designet til klasse-D lydforstærker-anvendelser. Denne MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde.
Den har gentagne Avalanche-egenskaber for robusthed og pålidelighed
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 20 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET