Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 20 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRLR9343TRPBF
- RS-varenummer:
- 214-4474
- Producentens varenummer:
- IRLR9343TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 85,68
(ekskl. moms)
Kr. 107,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.460 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 4,284 | Kr. 85,68 |
| 100 - 180 | Kr. 4,069 | Kr. 81,38 |
| 200 - 480 | Kr. 3,983 | Kr. 79,66 |
| 500 - 980 | Kr. 3,722 | Kr. 74,44 |
| 1000 + | Kr. 3,471 | Kr. 69,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4474
- Producentens varenummer:
- IRLR9343TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon Digital Audio HEXFET er specielt designet til klasse-D lydforstærker-anvendelser. Denne MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde.
Den har gentagne Avalanche-egenskaber for robusthed og pålidelighed
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 20 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR9343TRPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TRL
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5305TRPBF
- Infineon P-Kanal 18 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5505TRLPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TR
- Infineon P-Kanal 18 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5505TRPBF
- Infineon P-Kanal 11 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR9024NTRPBF
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR024NTRPBF
