Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4616
- Producentens varenummer:
- AUIRFR9024NTRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 117,14
(ekskl. moms)
Kr. 146,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.040 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 11,714 | Kr. 117,14 |
| 50 - 90 | Kr. 11,138 | Kr. 111,38 |
| 100 - 240 | Kr. 10,666 | Kr. 106,66 |
| 250 - 490 | Kr. 10,195 | Kr. 101,95 |
| 500 + | Kr. 9,485 | Kr. 94,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4616
- Producentens varenummer:
- AUIRFR9024NTRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.18mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Længde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.18mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Længde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Yderligere funktioner i dette design er en driftstemperatur ved 175 °C saltbro, hurtig koblingshastighed og forbedret gentagen lavine-klassificering. Disse funktioner gør dette design til en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Advanced Process
Ultra-lav modstand hurtig omskiftning
Blyfri, Overholder RoHS
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 59 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET