Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET Nej IRFU9024NPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 5,39

(ekskl. moms)

Kr. 6,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 124 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 268 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 2.895 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 24Kr. 5,39
25 - 49Kr. 5,09
50 - 99Kr. 4,94
100 - 249Kr. 4,64
250 +Kr. 4,49

*Vejledende pris

RS-varenummer:
541-1657
Producentens varenummer:
IRFU9024NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

IPAK

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

175mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Effektafsættelse maks. Pd

38W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.73mm

Bredde

2.39 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.22mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 11A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 38W maksimal effektafledning - IRFU9024NPBF


Denne P-kanal-MOSFET er beregnet til højeffektive strømstyringsapplikationer. Den har en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 11 A og en maksimal drain-source-spænding på 55 V, hvilket gør den i stand til at håndtere betydelige belastninger og samtidig sikre pålidelighed under forskellige driftsforhold. Dens monteringstype med gennemgående hul giver mulighed for problemfri integration i eksisterende design, hvilket gør den til en nøglekomponent for fagfolk inden for automatisering og elektronik.

Egenskaber og fordele


• Lav Rds(on) på 175mΩ forbedrer energieffektiviteten

• Maksimal strømspredning på 38W understøtter robust ydeevne

• Konfiguration med én transistor forenkler designprocesser

• Opfylder standarder for blyfrihed til miljøbevidste anvendelser

Anvendelsesområder


• Velegnet til strømforsyninger og konverteringskredsløb

• Bruges i motorstyringssystemer til effektiv drift

• Integreret i batteristyringssystemer for forbedret ydeevne

• Kan anvendes i bilmiljøer til pålidelig effekthåndtering

• Ideel til industrielt automatiseringsudstyr, der kræver robust ydeevne

Hvad er temperaturområdet for stabil drift?


Komponenten fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket sikrer pålidelig ydeevne i forskellige miljøer.

Hvordan kan den håndtere høje strømbelastninger effektivt?


Med en maksimal effektafledning på 38 W og en lav Rds(on) på 175 mΩ klarer den høje effektbelastninger med minimalt energitab.

Er det kompatibelt med et standard PCB-layout?


Ja, monteringstypen med gennemgående hul er kompatibel med standard PCB-layout, hvilket gør det nemt at integrere.

Hvilke kriterier bør overvejes for gate-spænding?


Et gate-source-spændingsområde på -20V til +20V giver fleksibilitet; den optimale ydelse opnås ved 10V for effektiv drift.

Hvordan bidrager det til effektivitet i strømstyringen?


Dens lave on-modstand og høje strømkapacitet maksimerer effektiviteten i forskellige strømstyringsscenarier.

Relaterede links