Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- RS-varenummer:
- 541-1657
- Producentens varenummer:
- IRFU9024NPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 25 flere for at gemme 4%
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 15,63
(ekskl. moms)
Kr. 19,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 114 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 185 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.220 enhed(er) afsendes fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 15,63 | - |
| 25 - 49 | Kr. 14,96 | 4% |
| 50 - 99 | Kr. 14,29 | 8% |
| 100 - 249 | Kr. 13,31 | 14% |
| 250 + | Kr. 13,09 | 16% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1657
- Producentens varenummer:
- IRFU9024NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 175mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 2.39mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 175mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 2.39mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 11A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 38W maksimal effektafledning - IRFU9024NPBF
Denne P-kanal-MOSFET er beregnet til højeffektive strømstyringsapplikationer. Den har en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 11 A og en maksimal drain-source-spænding på 55 V, hvilket gør den i stand til at håndtere betydelige belastninger og samtidig sikre pålidelighed under forskellige driftsforhold. Dens monteringstype med gennemgående hul giver mulighed for problemfri integration i eksisterende design, hvilket gør den til en nøglekomponent for fagfolk inden for automatisering og elektronik.
Egenskaber og fordele
• Lav Rds(on) på 175mΩ forbedrer energieffektiviteten
• Maksimal strømspredning på 38W understøtter robust ydeevne
• Konfiguration med én transistor forenkler designprocesser
• Opfylder standarder for blyfrihed til miljøbevidste anvendelser
Anvendelsesområder
• Velegnet til strømforsyninger og konverteringskredsløb
• Bruges i motorstyringssystemer til effektiv drift
• Integreret i batteristyringssystemer for forbedret ydeevne
• Kan anvendes i bilmiljøer til pålidelig effekthåndtering
• Ideel til industrielt automatiseringsudstyr, der kræver robust ydeevne
Hvad er temperaturområdet for stabil drift?
Komponenten fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket sikrer pålidelig ydeevne i forskellige miljøer.
Hvordan kan den håndtere høje strømbelastninger effektivt?
Med en maksimal effektafledning på 38 W og en lav Rds(on) på 175 mΩ klarer den høje effektbelastninger med minimalt energitab.
Er det kompatibelt med et standard PCB-layout?
Ja, monteringstypen med gennemgående hul er kompatibel med standard PCB-layout, hvilket gør det nemt at integrere.
Hvilke kriterier bør overvejes for gate-spænding?
Et gate-source-spændingsområde på -20V til +20V giver fleksibilitet; den optimale ydelse opnås ved 10V for effektiv drift.
Hvordan bidrager det til effektivitet i strømstyringen?
Dens lave on-modstand og høje strømkapacitet maksimerer effektiviteten i forskellige strømstyringsscenarier.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 9.4 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon N-Kanal 160 A 30 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon N-Kanal 63 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET