Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 247,725

(ekskl. moms)

Kr. 309,675

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
75 - 75Kr. 3,303Kr. 247,73
150 - 300Kr. 2,742Kr. 205,65
375 - 675Kr. 2,543Kr. 190,73
750 - 1800Kr. 2,378Kr. 178,35
1875 +Kr. 2,213Kr. 165,98

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4911
Producentens varenummer:
IRFU9024NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

IPAK

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

175mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

38W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

6.22mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

2.39 mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 11A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 38W maksimal effektafledning - IRFU9024NPBF


Denne P-kanal-MOSFET er beregnet til højeffektive strømstyringsapplikationer. Den har en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 11 A og en maksimal drain-source-spænding på 55 V, hvilket gør den i stand til at håndtere betydelige belastninger og samtidig sikre pålidelighed under forskellige driftsforhold. Dens monteringstype med gennemgående hul giver mulighed for problemfri integration i eksisterende design, hvilket gør den til en nøglekomponent for fagfolk inden for automatisering og elektronik.

Egenskaber og fordele


• Lav Rds(on) på 175mΩ forbedrer energieffektiviteten

• Maksimal strømspredning på 38W understøtter robust ydeevne

• Konfiguration med én transistor forenkler designprocesser

• Opfylder standarder for blyfrihed til miljøbevidste anvendelser

Anvendelsesområder


• Velegnet til strømforsyninger og konverteringskredsløb

• Bruges i motorstyringssystemer til effektiv drift

• Integreret i batteristyringssystemer for forbedret ydeevne

• Kan anvendes i bilmiljøer til pålidelig effekthåndtering

• Ideel til industrielt automatiseringsudstyr, der kræver robust ydeevne

Hvad er temperaturområdet for stabil drift?


Komponenten fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket sikrer pålidelig ydeevne i forskellige miljøer.

Hvordan kan den håndtere høje strømbelastninger effektivt?


Med en maksimal effektafledning på 38 W og en lav Rds(on) på 175 mΩ klarer den høje effektbelastninger med minimalt energitab.

Er det kompatibelt med et standard PCB-layout?


Ja, monteringstypen med gennemgående hul er kompatibel med standard PCB-layout, hvilket gør det nemt at integrere.

Hvilke kriterier bør overvejes for gate-spænding?


Et gate-source-spændingsområde på -20V til +20V giver fleksibilitet; den optimale ydelse opnås ved 10V for effektiv drift.

Hvordan bidrager det til effektivitet i strømstyringen?


Dens lave on-modstand og høje strømkapacitet maksimerer effektiviteten i forskellige strømstyringsscenarier.

Relaterede links