Infineon N-Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 913-4802
- Producentens varenummer:
- IRLR2905TRPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 4000 flere for at gemme 4%
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 8.282,00
(ekskl. moms)
Kr. 10.352,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2000 - 2000 | Kr. 4,141 | Kr. 8.282,00 | - |
| 4000 + | Kr. 3,934 | Kr. 7.868,00 | 4% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 913-4802
- Producentens varenummer:
- IRLR2905TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +16V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Portkildespænding maks. -16V, +16V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 42 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 42 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 42 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 28 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 59 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 56 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET