Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 28 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 4.126,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.158,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 - 2000Kr. 2,063Kr. 4.126,00
4000 - 4000Kr. 1,96Kr. 3.920,00
6000 +Kr. 1,836Kr. 3.672,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
913-4809
Producentens varenummer:
IRLR2705TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

28A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

65mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.39mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 28A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 68W maksimal effektafledning - IRLR2705TRPBF


Denne MOSFET er konstrueret til at yde fremragende i en lang række elektroniske applikationer. Den udnytter moderne fremskridt inden for MOSFET-teknologi og spiller en vigtig rolle i switching-applikationer, hvor effektivitet og pålidelighed er afgørende. Dens særlige egenskaber gør den til en fremragende løsning til automatisering og elektriske systemer, der kræver høj strømstyrke og robust drift.

Egenskaber og fordele


• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 28A forbedrer ydeevnen

• Maksimal spænding på 55 V øger skifteevnen

• Lav tændingsmodstand på 65mΩ minimerer energitab

• Fungerer effektivt ved temperaturer op til +175 °C

• Designet til overflademontering i en DPAK TO-252-pakke for effektivitet

• Single enhancement mode-konfiguration letter kredsløbsdesign

Anvendelsesområder


• Velegnet til strømstyring i industriel automatisering

• Ideel til energieffektiv switching i strømforsyninger

• Bruges ofte i motorstyringskredsløb

• Velegnet til brug i DC-DC-konvertere

Hvad er den maksimale effektafledning for denne komponent?


Den maksimale effektafledning er 68W, hvilket giver mulighed for effektiv varmestyring under drift.

Hvordan påvirker driftstemperaturområdet brugen?


Enheden fungerer effektivt mellem -55 °C og +175 °C, hvilket gør den velegnet til forskellige miljøforhold.

Er der en specifik installationsmetode, der anbefales til denne MOSFET?


Enheden er designet til overflademontering ved hjælp af teknikker som lodning for at sikre pålidelige forbindelser.

Kan denne MOSFET bruges parallelt med andre?


Ja, den kan bruges i parallelle konfigurationer, men korrekt varmestyring er afgørende for at undgå overophedning.

Hvilken type portdrev anbefales for at opnå optimal ydelse?


Et gate-drev på logisk niveau anbefales for at opnå effektiv kobling og sikre, at enheden fungerer inden for de specificerede tærskelniveauer.

Relaterede links