Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 56 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 8.320,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.400,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 - 2000Kr. 4,16Kr. 8.320,00
4000 +Kr. 3,952Kr. 7.904,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4750
Producentens varenummer:
IRFR2405TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

56A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

160kΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

110nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

6.22mm

Længde

6.73mm

Bredde

2.39 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel, kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Avanceret procesteknologi

Dynamisk dv/dt-normering

Hurtigt skift

Fuldt Avalanche-klassificeret

Relaterede links