Infineon N-Kanal, MOSFET, 56 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4750
- Producentens varenummer:
- IRFR2405TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 5.774,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.218,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | Kr. 2,887 | Kr. 5.774,00 |
| 4000 + | Kr. 2,742 | Kr. 5.484,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4750
- Producentens varenummer:
- IRFR2405TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160kΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 2.39mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160kΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 2.39mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel, kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Avanceret procesteknologi
Dynamisk dv/dt-normering
Hurtigt skift
Fuldt Avalanche-klassificeret
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 56 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 56 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 44 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 59 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 25 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET