Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 56 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4751
- Producentens varenummer:
- IRFR2405TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 94,32
(ekskl. moms)
Kr. 117,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 90 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 6,288 | Kr. 94,32 |
| 75 - 135 | Kr. 5,974 | Kr. 89,61 |
| 150 - 360 | Kr. 5,72 | Kr. 85,80 |
| 375 - 735 | Kr. 5,471 | Kr. 82,07 |
| 750 + | Kr. 5,091 | Kr. 76,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4751
- Producentens varenummer:
- IRFR2405TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160kΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160kΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel, kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Avanceret procesteknologi
Dynamisk dv/dt-normering
Hurtigt skift
Fuldt Avalanche-klassificeret
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 59 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 28 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET