Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 56 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 94,32

(ekskl. moms)

Kr. 117,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 90 enhed(er) afsendes fra 24. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 6,288Kr. 94,32
75 - 135Kr. 5,974Kr. 89,61
150 - 360Kr. 5,72Kr. 85,80
375 - 735Kr. 5,471Kr. 82,07
750 +Kr. 5,091Kr. 76,37

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4751
Producentens varenummer:
IRFR2405TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

56A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

160kΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

110nC

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.22mm

Bredde

2.39 mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel, kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Avanceret procesteknologi

Dynamisk dv/dt-normering

Hurtigt skift

Fuldt Avalanche-klassificeret

Relaterede links