Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 165-5895
- Producentens varenummer:
- IRF5305STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (800 enheder, på en rulle med 800)*
Kr. 5.364,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.704,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.600 enhed(er) afsendes fra 19. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 6,705 | Kr. 5.364,00 |
| 1600 + | Kr. 6,37 | Kr. 5.096,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5895
- Producentens varenummer:
- IRF5305STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.65mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 31A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 110W maksimal effektafledning - IRF5305STRLPBF
Denne P-kanal-MOSFET er skræddersyet til højeffektive applikationer og leverer pålidelighed og ydeevne. Den anvender enhancement mode-funktionalitet, hvilket gør den alsidig til forskellige elektroniske kredsløb. Med sine robuste specifikationer er den en velegnet løsning til automatisering og strømstyring i elektriske og mekaniske miljøer.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 31A
• Maksimal drain-kildespænding på 55V
• Overflademonteringskonfiguration til problemfri integration
• Maksimal effektafledningskapacitet på 110W for effektiv drift
• Forbedret termisk ydeevne med en maksimal driftstemperatur på +175 °C
• Lav tændingsmodstand på 60mΩ for forbedret effektivitet
Anvendelsesområder
• Til brug med motorstyringer
• Velegnet til strømforsyningskredsløb
• Elektronisk omskiftning
• Løsninger til energistyring
Hvad er den maksimale gate-tærskelspænding?
Den maksimale gate-tærskelspænding er 4V, hvilket giver tilstrækkelig kontrol i kredsløbsdesignet.
Hvordan håndterer MOSFET'en varme?
Den har en maksimal effektafledning på 110 W, hvilket muliggør effektiv varmestyring i krævende applikationer.
Er dette produkt kompatibelt med overflademonterede designs?
Ja, den kommer i en D2PAK-pakke, der er designet specielt til overflademontering.
Hvad er den mindste driftstemperatur for funktionalitet?
Enheden fungerer effektivt ved en minimumstemperatur på -55 °C, hvilket sikrer alsidighed i forskellige miljøer.
Hvordan påvirker on-resistensen ydeevnen?
Den lave maksimale drain source-modstand på 60mΩ bidrager til højere effektivitet og ydeevne i strømforsyningsapplikationer.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 70 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET