Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-varenummer:: 919-4924
Producentens varenummer:: IRF5305PBF
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 237,40

(ekskl. moms)

Kr. 296,75

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 100 enhed(er) afsendes fra 21. april 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 - 50	Kr. 4,748	Kr. 237,40
100 - 200	Kr. 3,704	Kr. 185,20
250 - 450	Kr. 3,466	Kr. 173,30
500 - 1200	Kr. 3,23	Kr. 161,50
1250 +	Kr. 2,991	Kr. 149,55

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 919-4924
Producentens varenummer:: IRF5305PBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	31A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	60mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	-1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd	110W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	63nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	8.77mm
	Længde	10.54mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Emballagetype TO-220
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 60mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf -1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd 110W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Højde 8.77mm
	Længde 10.54mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 31A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 110W maksimal effektafledning - IRF5305PBF

Denne MOSFET er skræddersyet til højeffektive strømapplikationer og giver både fleksibilitet og pålidelighed. Dens forbedrede driftstilstand gør den velegnet til forskellige systemer, der kræver kontrolleret omskiftning, især i industri- og automationsmiljøer.

Egenskaber og fordele

• Kontinuerlig strømkapacitet på 31A understøtter krævende anvendelser

• Spændingsniveau på 55 V muliggør pålidelige skift

• Lav tændingsmodstand på 60mΩ reducerer strømtab

• TO-220AB-pakkedesign forbedrer den termiske ydeevne

• Gate-source-spændingsområde på ±20V giver plads til forskellige anvendelser

• Hurtig skifteoptimering øger den samlede systemeffektivitet

Anvendelsesområder

• Bruges i motorstyringssystemer til effektiv drift

• Anvendes i strømforsyningskredsløb for stabil ydelse

• Integreret i elektroniske enheder, der kræver effektive skiftefunktioner

• Velegnet til anvendelse i vedvarende energisystemer

Hvad er temperaturområdet for drift?

Den fungerer inden for -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til ekstreme forhold.

Hvordan påvirker pakketypen ydeevnen?

TO-220AB-pakken giver lav termisk modstand, hvilket forbedrer køleeffektiviteten under drift.

Kan den håndtere applikationer med pulserende afløbsstrøm?

Ja, den understøtter pulserende afløbsstrømme på op til 110 A, hvilket sikrer tilstrækkelig ydeevne til transiente krav.

Hvilken type transistor er det?

Det er en P-kanal Si MOSFET, der er optimeret til højeffektive anvendelser.

Er den kompatibel med automatiserede montageprocesser?

Ja, designet med gennemgående huller giver mulighed for integration i automatiserede systemer og printkort.