Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF9Z24NPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 5,39

(ekskl. moms)

Kr. 6,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 106 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 369 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 24Kr. 5,39
25 - 49Kr. 4,49
50 - 99Kr. 4,26
100 - 249Kr. 4,04
250 +Kr. 3,67

*Vejledende pris

RS-varenummer:
541-0799
Elfa Distrelec varenummer:
303-41-312
Producentens varenummer:
IRF9Z24NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

175mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.54mm

Højde

8.77mm

Bredde

4.69 mm

Distrelec Product Id

30341312

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 12A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 45W maksimal effektafledning - IRF9Z24NPBF


Denne højtydende MOSFET er designet til effektiv strømstyring på tværs af forskellige applikationer. Med en P-kanal-konfiguration er den velegnet til kontrolleret switching og forbedret strømflow. Produktet spiller en afgørende rolle i driften af højeffektbelastninger og sikrer ensartet ydeevne og termisk stabilitet under udfordrende forhold.

Egenskaber og fordele


• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 12A

• Maksimal drain-source-spænding på 55V

• Lav RDS(on) på 175mΩ for reduceret effekttab

• Fungerer med både negativ og positiv gate-source-spænding

Anvendelsesområder


• Bruges i strømstyringssystemer til automatisering

• Anvendes i switch mode-strømforsyninger til elektronik

• Fordelagtig i lydforstærkere for at forbedre ydeevnen

• Almindelig i diverse forbrugerelektronik for effektiv energiudnyttelse

Hvad er den typiske gate-ladning for at opnå optimal ydelse?


Den typiske gate-ladning er 19nC ved en gate-source-spænding på 10V, hvilket giver effektive skifteegenskaber.

Hvordan påvirker kanaltypen funktionaliteten?


Som en P-kanal MOSFET giver den mulighed for bedre integration i high-side switching-applikationer, hvilket udvider de potentielle brugsscenarier i strømkredse.

Hvilken betydning har temperaturintervallet?


Driftstemperaturområdet fra -55 °C til +175 °C sikrer pålidelighed i forskellige miljøer, hvilket gør den alsidig til forskellige industrielle anvendelser.

Kan den bruges i højfrekvente switching-applikationer?


Ja, kombinationen af lav gate-ladning og modstand gør den velegnet til højfrekvente anvendelser, hvilket forbedrer effektiviteten.

Hvilke overvejelser skal man gøre sig i forbindelse med installationen?


Sørg for korrekt varmestyring og passende montering for at lette effektiv varmeafledning, hvilket kan forbedre levetiden og driftssikkerheden.

Relaterede links