Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 541-0799
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-312
- Producentens varenummer:
- IRF9Z24NPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 3,67
(ekskl. moms)
Kr. 4,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 498 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.519 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 3,67 |
| 25 - 49 | Kr. 3,07 |
| 50 - 99 | Kr. 2,84 |
| 100 - 249 | Kr. 2,69 |
| 250 + | Kr. 2,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-0799
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-312
- Producentens varenummer:
- IRF9Z24NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 175mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.54mm | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 175mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.54mm | ||
Højde 8.77mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 12A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 45W maksimal effektafledning - IRF9Z24NPBF
Denne højtydende MOSFET er designet til effektiv strømstyring på tværs af forskellige applikationer. Med en P-kanal-konfiguration er den velegnet til kontrolleret switching og forbedret strømflow. Produktet spiller en afgørende rolle i driften af højeffektbelastninger og sikrer ensartet ydeevne og termisk stabilitet under udfordrende forhold.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 12A
• Maksimal drain-source-spænding på 55V
• Lav RDS(on) på 175mΩ for reduceret effekttab
• Fungerer med både negativ og positiv gate-source-spænding
Anvendelsesområder
• Bruges i strømstyringssystemer til automatisering
• Anvendes i switch mode-strømforsyninger til elektronik
• Fordelagtig i lydforstærkere for at forbedre ydeevnen
• Almindelig i diverse forbrugerelektronik for effektiv energiudnyttelse
Hvad er den typiske gate-ladning for at opnå optimal ydelse?
Den typiske gate-ladning er 19nC ved en gate-source-spænding på 10V, hvilket giver effektive skifteegenskaber.
Hvordan påvirker kanaltypen funktionaliteten?
Som en P-kanal MOSFET giver den mulighed for bedre integration i high-side switching-applikationer, hvilket udvider de potentielle brugsscenarier i strømkredse.
Hvilken betydning har temperaturintervallet?
Driftstemperaturområdet fra -55 °C til +175 °C sikrer pålidelighed i forskellige miljøer, hvilket gør den alsidig til forskellige industrielle anvendelser.
Kan den bruges i højfrekvente switching-applikationer?
Ja, kombinationen af lav gate-ladning og modstand gør den velegnet til højfrekvente anvendelser, hvilket forbedrer effektiviteten.
Hvilke overvejelser skal man gøre sig i forbindelse med installationen?
Sørg for korrekt varmestyring og passende montering for at lette effektiv varmeafledning, hvilket kan forbedre levetiden og driftssikkerheden.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 12 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-262, HEXFET