Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 234,25

(ekskl. moms)

Kr. 292,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 4,685Kr. 234,25
100 - 200Kr. 3,327Kr. 166,35
250 - 450Kr. 3,134Kr. 156,70
500 - 1200Kr. 2,905Kr. 145,25
1250 +Kr. 2,67Kr. 133,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4858
Producentens varenummer:
IRF9Z24NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-220

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

175mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

8.77mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.69 mm

Længde

10.54mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 12A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 45W maksimal effektafledning - IRF9Z24NPBF


Denne højtydende MOSFET er designet til effektiv strømstyring på tværs af forskellige applikationer. Med en P-kanal-konfiguration er den velegnet til kontrolleret switching og forbedret strømflow. Produktet spiller en afgørende rolle i driften af højeffektbelastninger og sikrer ensartet ydeevne og termisk stabilitet under udfordrende forhold.

Egenskaber og fordele


• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 12A

• Maksimal drain-source-spænding på 55V

• Lav RDS(on) på 175mΩ for reduceret effekttab

• Fungerer med både negativ og positiv gate-source-spænding

Anvendelsesområder


• Bruges i strømstyringssystemer til automatisering

• Anvendes i switch mode-strømforsyninger til elektronik

• Fordelagtig i lydforstærkere for at forbedre ydeevnen

• Almindelig i diverse forbrugerelektronik for effektiv energiudnyttelse

Hvad er den typiske gate-ladning for at opnå optimal ydelse?


Den typiske gate-ladning er 19nC ved en gate-source-spænding på 10V, hvilket giver effektive skifteegenskaber.

Hvordan påvirker kanaltypen funktionaliteten?


Som en P-kanal MOSFET giver den mulighed for bedre integration i high-side switching-applikationer, hvilket udvider de potentielle brugsscenarier i strømkredse.

Hvilken betydning har temperaturintervallet?


Driftstemperaturområdet fra -55 °C til +175 °C sikrer pålidelighed i forskellige miljøer, hvilket gør den alsidig til forskellige industrielle anvendelser.

Kan den bruges i højfrekvente switching-applikationer?


Ja, kombinationen af lav gate-ladning og modstand gør den velegnet til højfrekvente anvendelser, hvilket forbedrer effektiviteten.

Hvilke overvejelser skal man gøre sig i forbindelse med installationen?


Sørg for korrekt varmestyring og passende montering for at lette effektiv varmeafledning, hvilket kan forbedre levetiden og driftssikkerheden.

Relaterede links