Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 919-5021
- Producentens varenummer:
- IRFU5305PBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 465,45
(ekskl. moms)
Kr. 581,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.075 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 + | Kr. 6,206 | Kr. 465,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-5021
- Producentens varenummer:
- IRFU5305PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.3 mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 6.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.3 mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 6.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 31A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 110W maksimal effektafledning - IRFU5305PBF
Denne MOSFET er konstrueret til effektivitet og pålidelighed på tværs af forskellige elektroniske applikationer. De avancerede forarbejdningsteknikker muliggør lav modstand pr. siliciumareal, hvilket gør den velegnet til højtydende kredsløbsdesign. Dens robuste egenskaber imødekommer en bred vifte af specifikationer for afløbsstrøm og spænding, hvilket sikrer optimal brug i automatiserings- og elektriske systemer.
Egenskaber og fordele
• Høj strømstyrke på op til 31A
• Fungerer effektivt i enhancement mode for forbedret performance
• Lav statisk drain-to-source on-resistance for effektivt energiforbrug
• Bredt gate-to-source-spændingsområde på ±20V for alsidig kontrol
• Kan modstå effektafledning på op til 110W
• Kompakt TO-251 IPAK-pakke letter pladsbesparende installation
Anvendelsesområder
• Ideel til strømstyring i forbrugerelektronik
• Anvendes i vedvarende energisystemer til effektiv styring
• Velegnet til strøm i elektriske køretøjer
• Anvendes i højfrekvente switching-strømforsyninger for forbedret ydeevne
Hvilket driftstemperaturområde kan opretholdes?
Komponenten kan fungere inden for -55 °C til +175 °C, hvilket er velegnet til forskellige miljøer.
Hvordan påvirker installationen ydeevnen?
Korrekt installation i applikationer med begrænset plads optimerer varmeafledningen og forbedrer dermed pålideligheden og ydeevnen.
Hvad bør man overveje i forbindelse med varmestyring under brug?
Det er afgørende at sikre passende kølemetoder på grund af den maksimale effektafledning på 110 W, når den arbejder med høje afløbsstrømme.
Hvilken type kredsløbsdesign har gavn af dens specifikationer?
Den lave on-modstand og høje strømstyrke gør den velegnet til design med fokus på effektivitet og minimering af energitab i applikationer som motorstyring og strømforsyninger.
Kan den bruges i parallelle konfigurationer?
Ja, den er velegnet til parallelle kredsløb; men man bør overveje afbalanceringsmetoder for at sikre en ensartet strømfordeling på tværs af enhederne.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET Nej IRFU5305PBF
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET Nej IRFU9024NPBF
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej IRF5305STRLPBF
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF5305PBF
