Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 38 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 245,87

(ekskl. moms)

Kr. 307,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 40 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 49,174Kr. 245,87
10 - 20Kr. 42,292Kr. 211,46
25 - 45Kr. 39,344Kr. 196,72
50 - 120Kr. 36,892Kr. 184,46
125 +Kr. 33,944Kr. 169,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-2972
Producentens varenummer:
AUIRF5210STRL
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

38A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

150nC

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.67mm

Højde

4.83mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon P-kanal MOSFET til brug i biler. Den er specielt designet til brug i biler. Dette celleopbyggede design af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde.

Avanceret procesteknologi

P-kanal MOSFET

Ekstremt lav modstand ved tændt

Dynamisk dv/dt-normering

Hurtigt skift

Relaterede links