Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 38 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101 AUIRF5210STRL

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 218,50

(ekskl. moms)

Kr. 273,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 100 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 43,70Kr. 218,50
10 - 20Kr. 37,58Kr. 187,90
25 - 45Kr. 34,962Kr. 174,81
50 - 120Kr. 32,778Kr. 163,89
125 +Kr. 30,16Kr. 150,80

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-2972
Producentens varenummer:
AUIRF5210STRL
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

38A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

150nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.83mm

Længde

10.67mm

Bredde

9.65 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon P-kanal MOSFET til brug i biler. Den er specielt designet til brug i biler. Dette celleopbyggede design af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. siliciumområde.

Avanceret procesteknologi

P-kanal MOSFET

Ekstremt lav modstand ved tændt

Dynamisk dv/dt-normering

Hurtigt skift

Relaterede links