Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 38 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRF5210STRLPBF
- RS-varenummer:
- 831-2825
- Producentens varenummer:
- IRF5210STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 79,11
(ekskl. moms)
Kr. 98,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 45 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.295 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 15,822 | Kr. 79,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 831-2825
- Producentens varenummer:
- IRF5210STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-445 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-445 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal Power MOSFET 100 V til 150 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 38 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF5210STRLPBF
- Infineon P-Kanal 38 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET AUIRF5210STRL
- Infineon P-Kanal 70 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905STRLPBF
- Infineon P-Kanal 14 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF9530NSTRLPBF
- Infineon P-Kanal 74 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905SPBF
- Infineon P-Kanal 23 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF9540NSTRLPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF6215STRLPBF
- Infineon P-Kanal 23 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF9540NSPBF
