Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 38 A 100 V Forbedring, 3 Ben, I2PAK (TO-262), HEXFET
- RS-varenummer:
- 650-3707
- Producentens varenummer:
- IRF5210LPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 94,25
(ekskl. moms)
Kr. 117,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5 enhed(er) afsendes fra 14. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 18,85 | Kr. 94,25 |
| 25 - 45 | Kr. 16,98 | Kr. 84,90 |
| 50 - 120 | Kr. 15,828 | Kr. 79,14 |
| 125 - 245 | Kr. 14,706 | Kr. 73,53 |
| 250 + | Kr. 13,748 | Kr. 68,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 650-3707
- Producentens varenummer:
- IRF5210LPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | I2PAK (TO-262) | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 10.54mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead-Free | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype I2PAK (TO-262) | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 10.54mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Standarder/godkendelser Lead-Free | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal Power MOSFET 100 V til 150 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 38 A 100 V Forbedring I2PAK (TO-262), HEXFET
- Infineon N-Kanal 162 A 40 V I2PAK (TO-262), HEXFET IRF1404LPBF
- Infineon N-Kanal 75 A 40 V I2PAK (TO-262), HEXFET IRF2804LPBF
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 38 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 38 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 72 A 200 V Forbedring TO-262, HEXFET