Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 1000 enheder)*

Kr. 5.790,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.240,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
1000 - 1000Kr. 5,79Kr. 5.790,00
2000 +Kr. 5,50Kr. 5.500,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
262-6773
Producentens varenummer:
IRFSL7437PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

195A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-262

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET giver fordele som f.eks. forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed og fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA.

Halogenfri

Forbedret husdiode dV/dt og dI/dt kapacitet

Relaterede links