Infineon N-Kanal, MOSFET, 195 A 60 V, TO-263, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (800 enheder, på en rulle med 800)*

Kr. 8.688,80

(ekskl. moms)

Kr. 10.860,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 +Kr. 10,861Kr. 8.688,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
257-9437
Producentens varenummer:
IRFS7530TRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

195A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Hulmontering

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

274nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRFS-serien er 60 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et D2 Pak-hus.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Optimeret til 10 V gate-drevspænding (kaldet normalt niveau)

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz

Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Effekthus til overflademontering i industristandard

Kan bølgeloddes

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.