Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 270 A 60 V, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9415
- Producentens varenummer:
- IRFS3006TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 11.130,40
(ekskl. moms)
Kr. 13.912,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 13,913 | Kr. 11.130,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9415
- Producentens varenummer:
- IRFS3006TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 270A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.5mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 200nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 270A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.5mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 200nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFS-serien er 60 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et D2 Pak-hus.
Forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed
Fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA
Forbedret husdiode dV/dt og dI/dt blyfri kapacitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N MOSFET 3 Ben HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101