Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9439
- Producentens varenummer:
- IRFS7540TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 5.824,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.280,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 7,28 | Kr. 5.824,00 |
| 1600 + | Kr. 6,916 | Kr. 5.532,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9439
- Producentens varenummer:
- IRFS7540TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.1mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 88nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.1mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 88nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFS-serien er 60 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et blyfrit D2 Pak-hus.
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Optimeret til 10 V gate-drevspænding (kaldet normalt niveau)
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Effekthus til overflademontering i industristandard
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N MOSFET 3 Ben HEXFET