Infineon N-Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5806
- Producentens varenummer:
- IRFR7540TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 90,13
(ekskl. moms)
Kr. 112,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.465 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,026 | Kr. 90,13 |
| 50 - 120 | Kr. 15,858 | Kr. 79,29 |
| 125 - 245 | Kr. 14,93 | Kr. 74,65 |
| 250 - 495 | Kr. 14,332 | Kr. 71,66 |
| 500 + | Kr. 13,942 | Kr. 69,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5806
- Producentens varenummer:
- IRFR7540TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 86nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 86nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET effekt MOSFET har forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed og fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA.
Forbedret kropsdiode dV/dt og dI/dt kapacitet
Blyfri, RoHS-overensstemmende