Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 110 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRFR3910TRLPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 89,32

(ekskl. moms)

Kr. 111,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 6.280 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 4,466Kr. 89,32
100 - 180Kr. 3,707Kr. 74,14
200 - 480Kr. 3,482Kr. 69,64
500 - 980Kr. 3,22Kr. 64,40
1000 +Kr. 3,056Kr. 61,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4753
Producentens varenummer:
IRFR3910TRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

16A

Drain source spænding maks. Vds

110V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.12mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

44nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

79W

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.73mm

Bredde

2.39 mm

Højde

6.22mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel, kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Avanceret procesteknologi

Dynamisk dv/dt-normering

Hurtigt skift

Fuldt Avalanche-klassificeret

Relaterede links