Infineon N-Kanal, MOSFET, 16 A 110 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4753
- Producentens varenummer:
- IRFR3910TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 146,84
(ekskl. moms)
Kr. 183,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 6.280 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 7,342 | Kr. 146,84 |
| 100 - 180 | Kr. 6,096 | Kr. 121,92 |
| 200 - 480 | Kr. 5,752 | Kr. 115,04 |
| 500 - 980 | Kr. 5,603 | Kr. 112,06 |
| 1000 + | Kr. 5,468 | Kr. 109,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4753
- Producentens varenummer:
- IRFR3910TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 110V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.39mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 110V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.39mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel, kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Avanceret procesteknologi
Dynamisk dv/dt-normering
Hurtigt skift
Fuldt Avalanche-klassificeret
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 16 A 110 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 39 A 80 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 160 A 30 V Forbedring TO-252, HEXFET