Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 110 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4753
- Producentens varenummer:
- IRFR3910TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 82,96
(ekskl. moms)
Kr. 103,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
- Plus 6.280 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 4,148 | Kr. 82,96 |
| 100 - 180 | Kr. 3,441 | Kr. 68,82 |
| 200 - 480 | Kr. 3,25 | Kr. 65,00 |
| 500 - 980 | Kr. 3,164 | Kr. 63,28 |
| 1000 + | Kr. 3,089 | Kr. 61,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4753
- Producentens varenummer:
- IRFR3910TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 110V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 110V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel, kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Avanceret procesteknologi
Dynamisk dv/dt-normering
Hurtigt skift
Fuldt Avalanche-klassificeret
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 16 A 110 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 45 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 39 A 80 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET