Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 110 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 7.842,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.804,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,614Kr. 7.842,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4752
Producentens varenummer:
IRFR3910TRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

16A

Drain source spænding maks. Vds

110V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.12mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

44nC

Effektafsættelse maks. Pd

79W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

6.22mm

Længde

6.73mm

Bredde

2.39 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel, kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Avanceret procesteknologi

Dynamisk dv/dt-normering

Hurtigt skift

Fuldt Avalanche-klassificeret

Relaterede links