Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-varenummer:: 168-6003
Producentens varenummer:: IRFR7546TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 4.740,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.920,00

(inkl. moms)

Tilføj 2000 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

På lager

10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 - 2000	Kr. 2,37	Kr. 4.740,00
4000 +	Kr. 2,251	Kr. 4.502,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 168-6003
Producentens varenummer:: IRFR7546TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	71A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	7.9mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	58nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	99W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	2.39 mm
	Højde	6.22mm
	Længde	6.73mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 71A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype TO-252
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 7.9mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 99W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 2.39 mm
	Højde 6.22mm
	Længde 6.73mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 71A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 99W maksimal effektafledning - IRFR7546TRPBF

Denne højtydende MOSFET er konstrueret til forskellige anvendelser, der kræver effektiv strømstyring. Med sine robuste specifikationer er den velegnet til scenarier, der kræver holdbarhed og højstrømskapacitet. Den bruges ofte til automatisering og elektriske applikationer og har en enestående ydeevne i forskellige miljøer.

Egenskaber og fordele

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 71A

• Vurderet til en maksimal drain-source-spænding på 60V

• Lav on-modstand forbedrer effektiviteten i strømforsyningen

• DPAK-pakke designet til nem overflademontering

• Høj effektafledningsevne forbedrer den termiske styring

• Enhancement mode-drift optimerer koblingsydelsen

Anvendelsesområder

• Velegnet til drev med børstet motor

• Nyttig i batteridrevne kredsløbsdesigns

• Anvendes i halvbro- og helbro-topologier

• Effektiv i synkron ensretter

• Anvendes i DC/DC- og AC/DC-strømkonverteringssystemer

Hvad er den termiske specifikation for kontinuerlig drift?

Den understøtter en maksimal effektafledning på 99W, hvilket sikrer effektiv drift uden overophedning under passende forhold.

Hvordan klarer den sig i miljøer med høje temperaturer?

Enheden fungerer effektivt op til en maksimal sammenkoblingstemperatur på +175 °C, hvilket gør den anvendelig i udfordrende situationer.

Hvilke monteringsmuligheder findes der til installation?

Den har et overflademonteret design i en DPAK-pakke, som gør det nemt at integrere den på printkort og samtidig spare plads.

Er der en begrænsning på gate-spændingen?

Ja, gate-to-source-spændingen må ikke overstige ±20V for at garantere sikre driftsforhold.

Hvilke foranstaltninger forbedrer dens pålidelighed under drift?

Robustheden er forbedret gennem lavine- og dynamisk dV/dt-beskyttelse, der sikrer pålidelig ydeevne under forskellige forhold.