Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRFR7546TRPBF
- RS-varenummer:
- 130-0990
- Producentens varenummer:
- IRFR7546TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 49,61
(ekskl. moms)
Kr. 62,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 10.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 4,961 | Kr. 49,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0990
- Producentens varenummer:
- IRFR7546TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 71A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 99W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bredde | 2.39 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 71A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 99W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 6.22mm | ||
Bredde 2.39 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 71A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 99W maksimal effektafledning - IRFR7546TRPBF
Denne højtydende MOSFET er konstrueret til forskellige anvendelser, der kræver effektiv strømstyring. Med sine robuste specifikationer er den velegnet til scenarier, der kræver holdbarhed og højstrømskapacitet. Den bruges ofte til automatisering og elektriske applikationer og har en enestående ydeevne i forskellige miljøer.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 71A
• Vurderet til en maksimal drain-source-spænding på 60V
• Lav on-modstand forbedrer effektiviteten i strømforsyningen
• DPAK-pakke designet til nem overflademontering
• Høj effektafledningsevne forbedrer den termiske styring
• Enhancement mode-drift optimerer koblingsydelsen
Anvendelsesområder
• Velegnet til drev med børstet motor
• Nyttig i batteridrevne kredsløbsdesigns
• Anvendes i halvbro- og helbro-topologier
• Effektiv i synkron ensretter
• Anvendes i DC/DC- og AC/DC-strømkonverteringssystemer
Hvad er den termiske specifikation for kontinuerlig drift?
Den understøtter en maksimal effektafledning på 99W, hvilket sikrer effektiv drift uden overophedning under passende forhold.
Hvordan klarer den sig i miljøer med høje temperaturer?
Enheden fungerer effektivt op til en maksimal sammenkoblingstemperatur på +175 °C, hvilket gør den anvendelig i udfordrende situationer.
Hvilke monteringsmuligheder findes der til installation?
Den har et overflademonteret design i en DPAK-pakke, som gør det nemt at integrere den på printkort og samtidig spare plads.
Er der en begrænsning på gate-spændingen?
Ja, gate-to-source-spændingen må ikke overstige ±20V for at garantere sikre driftsforhold.
Hvilke foranstaltninger forbedrer dens pålidelighed under drift?
Robustheden er forbedret gennem lavine- og dynamisk dV/dt-beskyttelse, der sikrer pålidelig ydeevne under forskellige forhold.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej IRLR2905ZTRPBF
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej IRLR3636TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 79 A 60 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 43 A 60 V HEXFET Nej
