Infineon N-Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-varenummer:: 124-8776
Producentens varenummer:: IRLR3636TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 9.856,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.320,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 16. april 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 4,928	Kr. 9.856,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 124-8776
Producentens varenummer:: IRLR3636TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	99A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	8.3mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	143W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Portkildespænding maks.	-16V, +16V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	49nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.73mm
	Bredde	6.22mm
	Højde	2.39mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 143W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Portkildespænding maks. -16V, +16V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.73mm
	Bredde 6.22mm
	Højde 2.39mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 99 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRLR3636TRPBF

Denne n-kanals forbedrings-MOSFET fra Infineon er en effekttransistor, der er designet til højstrømsomskiftning i overflademonterede kredsløb. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver robust drain-source-spændingshåndtering og betydelig kontinuerlig strømkapacitet. Enheden har et TO-252-hus til kompakt montering på kortniveau og en gate-klassificering, der understøtter typiske gate-drive-spændinger.

Egenskaber og fordele:

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 99 A muliggør omskiftning med høj strømstyrke
• Maksimal drain-source-spænding 60 V understøtter midspændingssystemer
• Meget lav Rds(on) på 8,3 mΩ reducerer ledningstab
• Maksimalt effekttab på 143 W muliggør vedvarende drift med høj effekt
• Typisk gate-ladning på 49 nC muliggør forudsigelig skiftedynamik
• Fremadgående spænding 1,3 V minimerer spændingsfaldet under belastning

Anvendelser

• Ideel til motordrevtrin i elektriske aktuatorer
• Velegnet til DC/DC-omformere og regulatorer med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med batteristyrings- og strømfordelingsmoduler
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Velegnet til industriel omskiftning i drev med variabel hastighed

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under konstruktion?

Enheden må ikke drives ud over en gate-source-mærkespænding på 16 V for at undgå gate-oxidbelastning og sikre pålidelig omskiftning.

Hvilke termiske forhold kan den tolerere under drift?

Transistoren er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer med passende termisk styring.

Hvordan påvirker pakken kortlayout og montering?

TO-252-formatet til overflademontering giver et kompakt fodaftryk og en termisk vej til printkortet, hvilket letter forbindelser med lav induktans og effektiv varmeoverførsel.

Hvordan påvirker dens kanaltype skifteadfærd?

At være en N-kanalforbedringsenhed betyder, at den kræver et positivt gate-drev i forhold til kilden for at tænde, hvilket giver lave Rds(on), når den er korrekt drevet.