Infineon N-Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Forbedring, TO-252, HEXFET

RS-varenummer:: 257-5546
Producentens varenummer:: IRFR4615TRLPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Forbedring, TO-252, HEXFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 11.412,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.265,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 30. juni 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 3,804	Kr. 11.412,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 257-5546
Producentens varenummer:: IRFR4615TRLPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	33A
	Drain source spænding maks. Vds	150V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Printmontering
	Drain source modstand maks. Rds	42mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	26nC
	Effektafsættelse maks. Pd	144W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A
	Drain source spænding maks. Vds 150V
	Emballagetype TO-252
	Serie HEXFET
	Monteringstype Printmontering
	Drain source modstand maks. Rds 42mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC
	Effektafsættelse maks. Pd 144W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IRFR4615TRLPBF

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 150 V maksimal drain-source spænding, 33 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFR4615TRLPBF

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til printmontering i strømskiftfunktioner. Den håndterer betydelig kontinuerlig strøm, mens den fungerer over et bredt omgivende temperaturområde, og den er velegnet, hvor der kræves kontrolleret gate-drev og termisk styring.

Egenskaber og fordele:

• 42 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab
• 150 V Vds muliggør højspændingsswitching
• 33 A kontinuerlig strøm understøtter tunge belastninger
• 144 W effekttab muliggør vedvarende drift
• 26 nC gate-ladning muliggør reaktiv omskiftning

Anvendelser

• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertere
• Ideel til effektomskiftning i invertere
• Anvendes med motordrevstrin, der kræver høj strøm
• Kan bruges til telekommunikationsstrømforsyninger
• Velegnet til industrielle strømstyringsmoduler

Hvilke grænser for portdrev skal overholdes?

Mærkeværdien fra gate til kilde er ±20 V, så gate-drevamplituderne skal forblive inden for dette område for at undgå skader.

Hvordan påvirker den termiske ydeevne monteringsvalg?

Med en dissipationsværdi på 144 W kræves der effektive kobberområder på printkort eller varmeafledning for at styre samlingstemperaturer under vedvarende belastning.

Hvilke ekstreme temperaturer kan enheden tolerere?

Den fungerer i et område fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor termisk variation.

Er denne komponent velegnet til bilkvalifikation?

Den er ikke specificeret som bilkvalitet

overensstemmelsesangivelsen er kun RoHS.