Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -13 A -150 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3986
- Producentens varenummer:
- IRFR6215TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 54,30
(ekskl. moms)
Kr. 67,90
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,86 | Kr. 54,30 |
| 50 - 120 | Kr. 9,784 | Kr. 48,92 |
| 125 - 245 | Kr. 9,246 | Kr. 46,23 |
| 250 - 495 | Kr. 8,602 | Kr. 43,01 |
| 500 + | Kr. 7,928 | Kr. 39,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3986
- Producentens varenummer:
- IRFR6215TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -150V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 580mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -13A | ||
Drain source spænding maks. Vds -150V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 580mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-effekt-MOSFET er den femte generation af HEXFET'er fra international rectifier, der benytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå den lavest mulige modstand ved tænding pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv enhed til brug i en lang række anvendelser. D-PAK er designet til overflademontering ved hjælp af dampfase-, infrarød- eller bølgelodningsteknikker. Den lige ledningsversion er til hulmontering. Effekttabniveauer på op til 1,5 watt er mulige i typiske anvendelser til overflademontering.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
øget robusthed
Bred tilgængelighed fra distributionspartnere
Kvalifikationsniveau iht. industristandard
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 13 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 13 A 150 V Forbedring TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 20 A 55 V TO-252, HEXFET