Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -13 A -150 V, TO-252, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 258-3985
- Producentens varenummer:
- IRFR6215TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 10.770,00
(ekskl. moms)
Kr. 13.470,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,59 | Kr. 10.770,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3985
- Producentens varenummer:
- IRFR6215TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 580mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -13A | ||
Drain source spænding maks. Vds -150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 580mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-effekt-MOSFET er den femte generation af HEXFET'er fra international rectifier, der benytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå den lavest mulige modstand ved tænding pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv enhed til brug i en lang række anvendelser. D-PAK er designet til overflademontering ved hjælp af dampfase-, infrarød- eller bølgelodningsteknikker. Den lige ledningsversion er til hulmontering. Effekttabniveauer på op til 1,5 watt er mulige i typiske anvendelser til overflademontering.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
øget robusthed
Bred tilgængelighed fra distributionspartnere
Kvalifikationsniveau iht. industristandard
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V HEXFET IRFR6215TRLPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR6215TRL
- Infineon N-Kanal 13 A 150 V HEXFET IRFR6215TRPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5410TRLPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5410TRL
- Infineon P-Kanal 13 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5410TRPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V TO-220, HEXFET AUIRF6215
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRF6215PBF