Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 13 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3097
- Producentens varenummer:
- IRF6215STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 4.723,20
(ekskl. moms)
Kr. 5.904,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 5,904 | Kr. 4.723,20 |
| 1600 + | Kr. 5,609 | Kr. 4.487,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3097
- Producentens varenummer:
- IRF6215STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 290mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 290mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien enkelt P-kanal effekt MOSFET. Denne MOSFET anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumområde. Den er velegnet til anvendelser med høj strømstyrke.
Hurtigt skift
P-kanal
175 °C driftstemperatur
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 13 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRF6215PBF
- Infineon Type N-Kanal 85 A 150 V HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 13 A 150 V Forbedring TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon P-Kanal 23 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF9540NSPBF
- Infineon P-Kanal 74 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905SPBF