Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 13 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRF6215STRLPBF
- RS-varenummer:
- 218-3098
- Producentens varenummer:
- IRF6215STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 142,725
(ekskl. moms)
Kr. 178,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 + | Kr. 9,515 | Kr. 142,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3098
- Producentens varenummer:
- IRF6215STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 290mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 290mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien enkelt P-kanal effekt MOSFET. Denne MOSFET anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumområde. Den er velegnet til anvendelser med høj strømstyrke.
Hurtigt skift
P-kanal
175 °C driftstemperatur
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF6215STRLPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V D2PAK (TO-263), HEXFET AUIRF6215STRL
- Infineon N-Kanal 51 A 150 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS52N15DTRLP
- Infineon N-Kanal 33 A 150 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS4615TRLPBF
- Infineon N-Kanal 195 A 150 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS4115TRLPBF
- Infineon P-Kanal 70 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905STRLPBF
- Infineon P-Kanal 14 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF9530NSTRLPBF
- Infineon P-Kanal 74 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905SPBF
