Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3120
- Producentens varenummer:
- IRFS52N15DTRLP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 157,08
(ekskl. moms)
Kr. 196,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.080 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 15,708 | Kr. 157,08 |
| 20 - 40 | Kr. 14,93 | Kr. 149,30 |
| 50 - 90 | Kr. 14,302 | Kr. 143,02 |
| 100 - 240 | Kr. 13,673 | Kr. 136,73 |
| 250 + | Kr. 12,731 | Kr. 127,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3120
- Producentens varenummer:
- IRFS52N15DTRLP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 32mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 89nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 32mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 89nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFS serien enkelt N-kanal IR MOSFET. Denne MOSFET bruges i højfrekvente DC-DC-konvertere, plasma-skærmpanel osv.
Blyfri
Betydelig reduktion af skiftetab
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 51 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 85 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 105 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET