Infineon N-Kanal, MOSFET, 51 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3120
- Producentens varenummer:
- IRFS52N15DTRLP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 183,04
(ekskl. moms)
Kr. 228,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.060 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 18,304 | Kr. 183,04 |
| 20 - 40 | Kr. 17,384 | Kr. 173,84 |
| 50 - 90 | Kr. 16,65 | Kr. 166,50 |
| 100 - 240 | Kr. 15,925 | Kr. 159,25 |
| 250 + | Kr. 14,825 | Kr. 148,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3120
- Producentens varenummer:
- IRFS52N15DTRLP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 32mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 89nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 32mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 89nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFS serien enkelt N-kanal IR MOSFET. Denne MOSFET bruges i højfrekvente DC-DC-konvertere, plasma-skærmpanel osv.
Blyfri
Betydelig reduktion af skiftetab