Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRFZ46ZSTRLPBF
- RS-varenummer:
- 214-4464
- Producentens varenummer:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 126,465
(ekskl. moms)
Kr. 158,085
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.185 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 8,431 | Kr. 126,47 |
| 75 - 135 | Kr. 8,018 | Kr. 120,27 |
| 150 - 360 | Kr. 7,841 | Kr. 117,62 |
| 375 - 735 | Kr. 7,344 | Kr. 110,16 |
| 750 + | Kr. 6,829 | Kr. 102,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4464
- Producentens varenummer:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 82W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 82W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon stærke IRFET effekt MOSFET er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Den er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.
Den er optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 51 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFZ46ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 51 A 55 V HEXFET IRLZ44ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 51 A 150 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS52N15DTRLP
- Infineon N-Kanal 94 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 86 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRL3705ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 85 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010NSTRLPBF
- Infineon P-Kanal 70 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905STRLPBF
- Infineon P-Kanal 74 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905SPBF
