Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4464
- Producentens varenummer:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 129,255
(ekskl. moms)
Kr. 161,565
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.185 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 8,617 | Kr. 129,26 |
| 75 - 135 | Kr. 8,188 | Kr. 122,82 |
| 150 - 360 | Kr. 8,013 | Kr. 120,20 |
| 375 - 735 | Kr. 7,50 | Kr. 112,50 |
| 750 + | Kr. 6,977 | Kr. 104,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4464
- Producentens varenummer:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 82W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 82W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon stærke IRFET effekt MOSFET er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Den er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.
Den er optimeret til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 131 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 240 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET