Infineon N-Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2636
- Producentens varenummer:
- IRL3705NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 109,15
(ekskl. moms)
Kr. 136,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 630 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 10,915 | Kr. 109,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2636
- Producentens varenummer:
- IRL3705NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 89A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 98nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Højde | 17.79mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 89A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 98nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83mm | ||
Højde 17.79mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 55V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i et D2-Pak hus.
Planar cellestruktur for bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Silicium optimeret til anvendelser, der skifter under <100 kHz
Industristandard overflademonteret strømpakke
Hus med stor strømbelastningsevne (op til 195 A, afhængigt af størrelse)
Kan bølgelloddes
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 89 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 131 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 51 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 89 A 55 V TO-220AB, HEXFET AUIRL3705N
- Infineon N-Kanal 51 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 89 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET