Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 131 A 55 V, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9275
- Producentens varenummer:
- IRF1405STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 6.642,40
(ekskl. moms)
Kr. 8.303,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 8,303 | Kr. 6.642,40 |
| 1600 + | Kr. 7,888 | Kr. 6.310,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9275
- Producentens varenummer:
- IRF1405STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 131A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.3mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 170nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 131A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.3mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 170nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 55 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et D2 Pak-hus.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Effekthus til overflademontering i industristandard
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 131 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 240 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET