Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 55 V, TO-263, HEXFET

Infineon HEXFET-effekt-MOSFET'er fra International Rectifier benytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand ved tænding pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser. D2Pak er et effektpakke til overflademontering, der er i stand til at rumme matrixstørrelser op til HEX-4. Den giver den højeste effektkapacitet og den lavest mulige modstand ved tændt i ethvert eksisterende overflademonteret hus. D2Pak er velegnet til anvendelser med høj strømstyrke på grund af sin lave interne tilslutningsmodstand og kan sprede op til 2,0 W i en typisk overflademontering.

Avanceret procesteknologi