Infineon N-Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Forbedring, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5867
- Producentens varenummer:
- IRFR4615TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 10%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 89,91
(ekskl. moms)
Kr. 112,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.865 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,982 | Kr. 89,91 | - |
| 50 - 120 | Kr. 16,172 | Kr. 80,86 | 10% |
| 125 - 245 | Kr. 15,14 | Kr. 75,70 | 15% |
| 250 - 495 | Kr. 14,062 | Kr. 70,31 | 21% |
| 500 + | Kr. 9,006 | Kr. 45,03 | 49% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5867
- Producentens varenummer:
- IRFR4615TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 42mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 144W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 42mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 144W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 150 V maksimal drain-source spænding, 33 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFR4615TRLPBF
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til printmontering i strømskiftfunktioner. Den håndterer betydelig kontinuerlig strøm, mens den fungerer over et bredt omgivende temperaturområde, og den er velegnet, hvor der kræves kontrolleret gate-drev og termisk styring.
Egenskaber og fordele:
• 42 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab
• 150 V Vds muliggør højspændingsswitching
• 33 A kontinuerlig strøm understøtter tunge belastninger
• 144 W effekttab muliggør vedvarende drift
• 26 nC gate-ladning muliggør reaktiv omskiftning
• 150 V Vds muliggør højspændingsswitching
• 33 A kontinuerlig strøm understøtter tunge belastninger
• 144 W effekttab muliggør vedvarende drift
• 26 nC gate-ladning muliggør reaktiv omskiftning
Anvendelser
• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertere
• Ideel til effektomskiftning i invertere
• Anvendes med motordrevstrin, der kræver høj strøm
• Kan bruges til telekommunikationsstrømforsyninger
• Velegnet til industrielle strømstyringsmoduler
• Ideel til effektomskiftning i invertere
• Anvendes med motordrevstrin, der kræver høj strøm
• Kan bruges til telekommunikationsstrømforsyninger
• Velegnet til industrielle strømstyringsmoduler
Hvilke grænser for portdrev skal overholdes?
Mærkeværdien fra gate til kilde er ±20 V, så gate-drevamplituderne skal forblive inden for dette område for at undgå skader.
Hvordan påvirker den termiske ydeevne monteringsvalg?
Med en dissipationsværdi på 144 W kræves der effektive kobberområder på printkort eller varmeafledning for at styre samlingstemperaturer under vedvarende belastning.
Hvilke ekstreme temperaturer kan enheden tolerere?
Den fungerer i et område fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor termisk variation.
Er denne komponent velegnet til bilkvalifikation?
Den er ikke specificeret som bilkvalitet
overensstemmelsesangivelsen er kun RoHS.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 33 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 24 A 150 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 33 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 63 A 100 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 33 A 150 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET