Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 60 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9458
- Producentens varenummer:
- IRLR3636TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 34,48
(ekskl. moms)
Kr. 43,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.790 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,896 | Kr. 34,48 |
| 50 - 120 | Kr. 5,998 | Kr. 29,99 |
| 125 - 245 | Kr. 5,58 | Kr. 27,90 |
| 250 - 495 | Kr. 5,222 | Kr. 26,11 |
| 500 + | Kr. 3,784 | Kr. 18,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9458
- Producentens varenummer:
- IRLR3636TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 143W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 143W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRLR-serien er 60 V enkelt n-kanals effekt-mosfet i et D-Pak-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 79 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET