Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 61 A 55 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3999
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-553
- Producentens varenummer:
- IRLR3915TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 24,24
(ekskl. moms)
Kr. 30,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.472 enhed(er) afsendes fra 22. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 12,12 | Kr. 24,24 |
| 20 - 48 | Kr. 11,035 | Kr. 22,07 |
| 50 - 98 | Kr. 10,285 | Kr. 20,57 |
| 100 - 198 | Kr. 9,575 | Kr. 19,15 |
| 200 + | Kr. 8,825 | Kr. 17,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3999
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-553
- Producentens varenummer:
- IRLR3915TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 61A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 120W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 61A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 120W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-effekt-MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand ved tænding pr. siliciumareal. Yderligere funktioner for dette produkt er en 175 °C samledriftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavinebelastning. Disse funktioner kombineres til at gøre dette design til en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Avanceret procesteknologi
Meget lav modstand ved tændt
Hurtig omskiftning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 61 A 55 V HEXFET Nej
- Infineon N-Kanal 61 A 55 V TO-220AB, HEXFET AUIRFZ48Z
- Infineon Type N-Kanal 27 A 55 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET Nej IRFR024NTRPBF
- Infineon Type N-Kanal 27 A 55 V HEXFET Nej IRFR4105TRPBF
