Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 27 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3111
- Producentens varenummer:
- IRFR4105TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 139,55
(ekskl. moms)
Kr. 174,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10.100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 5,582 | Kr. 139,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3111
- Producentens varenummer:
- IRFR4105TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.045V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.045V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-serien 55 V N-kanal effekt MOSFET. Den anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå den lavest mulige modstand pr. siliciumområde. Denne MOSFET er designet til overflademontering med dampfase, infrarød eller bølgelodningsteknik.
Ekstremt lav modstand ved tændt
Hurtigt skift
Blyfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 27 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 61 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 62 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 59 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET