Infineon N-Kanal, MOSFET, 27 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3111
- Producentens varenummer:
- IRFR4105TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (25 enheder, i en pakke med 25)*
Kr. 139,55
(ekskl. moms)
Kr. 174,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10.100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 5,582 | Kr. 139,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3111
- Producentens varenummer:
- IRFR4105TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 45mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bredde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 45mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 6.22mm | ||
Bredde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-serien 55 V N-kanal effekt MOSFET. Den anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå den lavest mulige modstand pr. siliciumområde. Denne MOSFET er designet til overflademontering med dampfase, infrarød eller bølgelodningsteknik.
Ekstremt lav modstand ved tændt
Hurtigt skift
Blyfri
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 27 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 61 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 56 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 62 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET