Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 27 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 5.566,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.958,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 - 2000Kr. 2,783Kr. 5.566,00
4000 +Kr. 2,643Kr. 5.286,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-3110
Producentens varenummer:
IRFR4105TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

27A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Gennemgangsspænding Vf

0.045V

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.73mm

Højde

6.22mm

Bredde

2.39 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET-serien 55 V N-kanal effekt MOSFET. Den anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå den lavest mulige modstand pr. siliciumområde. Denne MOSFET er designet til overflademontering med dampfase, infrarød eller bølgelodningsteknik.

Ekstremt lav modstand ved tændt

Hurtigt skift

Blyfri

Relaterede links