Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 27 A 55 V, TO-252, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 5.862,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.328,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 - 2000Kr. 2,931Kr. 5.862,00
4000 +Kr. 2,784Kr. 5.568,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-3110
Producentens varenummer:
IRFR4105TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

27A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.045V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

6.22mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Bredde

2.39 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET-serien 55 V N-kanal effekt MOSFET. Den anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå den lavest mulige modstand pr. siliciumområde. Denne MOSFET er designet til overflademontering med dampfase, infrarød eller bølgelodningsteknik.

Ekstremt lav modstand ved tændt

Hurtigt skift

Blyfri

Relaterede links