Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRLR3636TRPBF
- RS-varenummer:
- 830-3372
- Producentens varenummer:
- IRLR3636TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 98,96
(ekskl. moms)
Kr. 123,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 280 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 9,896 | Kr. 98,96 |
| 50 - 90 | Kr. 8,019 | Kr. 80,19 |
| 100 - 240 | Kr. 7,517 | Kr. 75,17 |
| 250 - 490 | Kr. 6,926 | Kr. 69,26 |
| 500 + | Kr. 6,44 | Kr. 64,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 830-3372
- Producentens varenummer:
- IRLR3636TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 143W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 143W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 99 A 60 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR3636TRPBF
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR3806TRL
- Infineon N-Kanal 71 A 60 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR7546TRPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFS3306PBF
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR2905ZTRPBF
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRLR2905Z
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR024NTRPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TRL
