Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 830-3372
- Producentens varenummer:
- IRLR3636TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 88,49
(ekskl. moms)
Kr. 110,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 250 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,849 | Kr. 88,49 |
| 50 - 90 | Kr. 7,166 | Kr. 71,66 |
| 100 - 240 | Kr. 6,725 | Kr. 67,25 |
| 250 - 490 | Kr. 6,193 | Kr. 61,93 |
| 500 + | Kr. 5,752 | Kr. 57,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 830-3372
- Producentens varenummer:
- IRLR3636TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 143W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 143W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 45 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 39 A 80 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET