Infineon N-Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 103,22

(ekskl. moms)

Kr. 129,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 230 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 10,322Kr. 103,22
50 - 90Kr. 8,348Kr. 83,48
100 - 240Kr. 7,847Kr. 78,47
250 - 490Kr. 7,226Kr. 72,26
500 +Kr. 6,717Kr. 67,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
830-3372
Producentens varenummer:
IRLR3636TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

99A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

49nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

143W

Portkildespænding maks.

-16V, +16V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22mm

Højde

2.39mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 99 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRLR3636TRPBF


Denne n-kanals forbedrings-MOSFET fra Infineon er en effekttransistor, der er designet til højstrømsomskiftning i overflademonterede kredsløb. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver robust drain-source-spændingshåndtering og betydelig kontinuerlig strømkapacitet. Enheden har et TO-252-hus til kompakt montering på kortniveau og en gate-klassificering, der understøtter typiske gate-drive-spændinger.

Egenskaber og fordele:


• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 99 A muliggør omskiftning med høj strømstyrke
• Maksimal drain-source-spænding 60 V understøtter midspændingssystemer
• Meget lav Rds(on) på 8,3 mΩ reducerer ledningstab
• Maksimalt effekttab på 143 W muliggør vedvarende drift med høj effekt
• Typisk gate-ladning på 49 nC muliggør forudsigelig skiftedynamik
• Fremadgående spænding 1,3 V minimerer spændingsfaldet under belastning

Anvendelser


• Ideel til motordrevtrin i elektriske aktuatorer
• Velegnet til DC/DC-omformere og regulatorer med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med batteristyrings- og strømfordelingsmoduler
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Velegnet til industriel omskiftning i drev med variabel hastighed

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under konstruktion?


Enheden må ikke drives ud over en gate-source-mærkespænding på 16 V for at undgå gate-oxidbelastning og sikre pålidelig omskiftning.

Hvilke termiske forhold kan den tolerere under drift?


Transistoren er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer med passende termisk styring.

Hvordan påvirker pakken kortlayout og montering?


TO-252-formatet til overflademontering giver et kompakt fodaftryk og en termisk vej til printkortet, hvilket letter forbindelser med lav induktans og effektiv varmeoverførsel.

Hvordan påvirker dens kanaltype skifteadfærd?


At være en N-kanalforbedringsenhed betyder, at den kræver et positivt gate-drev i forhold til kilden for at tænde, hvilket giver lave Rds(on), når den er korrekt drevet.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.