Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRLR3636TRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 98,96

(ekskl. moms)

Kr. 123,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 280 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 9,896Kr. 98,96
50 - 90Kr. 8,019Kr. 80,19
100 - 240Kr. 7,517Kr. 75,17
250 - 490Kr. 6,926Kr. 69,26
500 +Kr. 6,44Kr. 64,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
830-3372
Producentens varenummer:
IRLR3636TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

99A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

143W

Portkildespænding maks.

16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

49nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.39mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Bredde

6.22 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links