Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 168-6002
- Producentens varenummer:
- IRFR7440TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (2000 enheder, på en rulle med 2000)*
Kr. 8.400,00
(ekskl. moms)
Kr. 10.500,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 4,20 | Kr. 8.400,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-6002
- Producentens varenummer:
- IRFR7440TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 89nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bredde | 2.39mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 89nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 6.22mm | ||
Bredde 2.39mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 40 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 39 A 80 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 160 A 30 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 8.7 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 86 A 30 V Forbedring TO-252, HEXFET