Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 109,51

(ekskl. moms)

Kr. 136,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.760 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 10,951Kr. 109,51
50 - 90Kr. 10,405Kr. 104,05
100 - 240Kr. 9,963Kr. 99,63
250 - 490Kr. 9,522Kr. 95,22
500 +Kr. 8,871Kr. 88,71

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-9129
Producentens varenummer:
IRFR4104TRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

42A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-252

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

140W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

2.39 mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.22mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Yderligere funktioner i dette design er en driftstemperatur for 175 °C saltbro, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavine-klassificering. Disse funktioner gør dette design til en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Den leveres med Advanced Process Technology

MOSFET er blyfri

Relaterede links