Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-9129
- Producentens varenummer:
- IRFR4104TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 109,51
(ekskl. moms)
Kr. 136,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.740 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 10,951 | Kr. 109,51 |
| 50 - 90 | Kr. 10,405 | Kr. 104,05 |
| 100 - 240 | Kr. 9,963 | Kr. 99,63 |
| 250 - 490 | Kr. 9,522 | Kr. 95,22 |
| 500 + | Kr. 8,871 | Kr. 88,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9129
- Producentens varenummer:
- IRFR4104TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 59nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 59nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Yderligere funktioner i dette design er en driftstemperatur for 175 °C saltbro, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavine-klassificering. Disse funktioner gør dette design til en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Den leveres med Advanced Process Technology
MOSFET er blyfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 42 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 85 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 45 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 39 A 80 V Forbedring TO-252, HEXFET