Infineon N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3992
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-548
- Producentens varenummer:
- IRL530NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 75,47
(ekskl. moms)
Kr. 94,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 800 enhed(er) afsendes fra 22. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,094 | Kr. 75,47 |
| 50 - 120 | Kr. 13,568 | Kr. 67,84 |
| 125 - 245 | Kr. 12,686 | Kr. 63,43 |
| 250 - 495 | Kr. 11,788 | Kr. 58,94 |
| 500 + | Kr. 11,026 | Kr. 55,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3992
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-548
- Producentens varenummer:
- IRL530NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.8W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-effekt-MOSFET er den femte generation af HEXFET'er fra international rectifier, der benytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå den lavest mulige modstand ved tænding pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv enhed til brug i en lang række anvendelser.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz
Effekthus til overflademontering i industristandard