Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, TO-263, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 56,10

(ekskl. moms)

Kr. 70,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,22Kr. 56,10
50 - 120Kr. 10,084Kr. 50,42
125 - 245Kr. 9,424Kr. 47,12
250 - 495Kr. 8,766Kr. 43,83
500 +Kr. 8,184Kr. 40,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3992
Elfa Distrelec varenummer:
304-40-548
Producentens varenummer:
IRL530NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22.7nC

Effektafsættelse maks. Pd

3.8W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET-effekt-MOSFET er den femte generation af HEXFET'er fra international rectifier, der benytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå den lavest mulige modstand ved tænding pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv enhed til brug i en lang række anvendelser.

Planarcellestruktur til bred SOA

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz

Effekthus til overflademontering i industristandard

Relaterede links