Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, TO-263, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 3.468,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.335,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 - 800Kr. 4,335Kr. 3.468,00
1600 - 1600Kr. 4,118Kr. 3.294,40
2400 +Kr. 3,944Kr. 3.155,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3991
Producentens varenummer:
IRL530NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.8W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22.7nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET-effekt-MOSFET er den femte generation af HEXFET'er fra international rectifier, der benytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå den lavest mulige modstand ved tænding pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv enhed til brug i en lang række anvendelser.

Planarcellestruktur til bred SOA

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz

Effekthus til overflademontering i industristandard

Relaterede links