Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3991
- Producentens varenummer:
- IRL530NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 3.016,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.768,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 3,77 | Kr. 3.016,00 |
| 1600 - 1600 | Kr. 3,581 | Kr. 2.864,80 |
| 2400 + | Kr. 3,431 | Kr. 2.744,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3991
- Producentens varenummer:
- IRL530NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.8W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-effekt-MOSFET er den femte generation af HEXFET'er fra international rectifier, der benytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå den lavest mulige modstand ved tænding pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv enhed til brug i en lang række anvendelser.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz
Effekthus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 85 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 62 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V HEXFET