Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 160 A 60 V, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9424
- Producentens varenummer:
- IRFS3306TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 37,85
(ekskl. moms)
Kr. 47,312
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 742 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 18,925 | Kr. 37,85 |
| 20 - 48 | Kr. 17,24 | Kr. 34,48 |
| 50 - 98 | Kr. 16,08 | Kr. 32,16 |
| 100 - 198 | Kr. 15,11 | Kr. 30,22 |
| 200 + | Kr. 13,84 | Kr. 27,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9424
- Producentens varenummer:
- IRFS3306TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 160A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.2mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 85nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 160A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.2mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 85nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFS-serien er 60 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et D2 Pak-hus.
Forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed
Fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA
Forbedret husdiode dV/dt og dI/dt blyfri kapacitet
I overensstemmelse med RoHS, halogenfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 40 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 7 Ben HEXFET
