Infineon N-Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, iPB

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (800 enheder, på en rulle med 800)*

Kr. 7.631,20

(ekskl. moms)

Kr. 9.539,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 - 800Kr. 9,539Kr. 7.631,20
1600 +Kr. 9,301Kr. 7.440,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
262-5851
Producentens varenummer:
IPB015N06NF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

195A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanals effekttransistor er optimeret til en bred vifte af anvendelser, og den er 100 procent lavine-testet.

Blyfri ledningsbelægning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.