Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, iPB Nej IPB029N06NF2SATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 65,26

(ekskl. moms)

Kr. 81,575

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 550 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 13,052Kr. 65,26
50 - 120Kr. 11,864Kr. 59,32
125 - 245Kr. 11,10Kr. 55,50
250 - 495Kr. 10,308Kr. 51,54
500 +Kr. 9,53Kr. 47,65

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-5859
Producentens varenummer:
IPB029N06NF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

iPB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanals effekttransistor er optimeret til en bred vifte af anvendelser, og den er 100 procent lavine-testet.

Blyfri ledningsbelægning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links