Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, iPB

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 44,88

(ekskl. moms)

Kr. 56,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 545 enhed(er) afsendes fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 8,976Kr. 44,88
50 - 120Kr. 8,168Kr. 40,84
125 - 245Kr. 7,644Kr. 38,22
250 - 495Kr. 7,092Kr. 35,46
500 +Kr. 6,552Kr. 32,76

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-5859
Producentens varenummer:
IPB029N06NF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanals effekttransistor er optimeret til en bred vifte af anvendelser, og den er 100 procent lavine-testet.

Blyfri ledningsbelægning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.